擴散爐是半導體生產(chǎn)線前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。

        擴散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。

擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

***的低壓磷擴散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時對環(huán)境的影響最小。

氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應，生長一層二氧化硅膜。

氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。